3X3 DFN
規格
| FKCA1030 | 12V RDS=4.3mΩ |
| FKCA2030 | 20V RDS=5.8Ω |
| FKCA3214 | 30V RDS=15mΩ |
一般說明
它是一種 N 通道增強型功率場效應電晶體，採用 Force-MOS 專利擴展溝槽柵極 (ETG) 技術。
這種先進的技術是專門為最小導電電阻和柵極電荷而設計的，並增強崩潰能力。
這些裝置特別適用於中壓應用，例如充電器、變壓器、筆記本電腦電源管理和其他燈光調整功率電路，以及極小外形表面貼裝封裝所需的低在線功率損耗。