2X2 DFN
Modelo：FKCB2903、FKCD3014、FKCD3113、FKCB8236
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Especificación
| FKCB2903 | 20V, N+P, RDS=40mΩ |
| FKCD3014 | 30V, N simple, RDS = 12mΩ |
| FKCD3113 | -30V, P simple, RDS=32mΩ |
| FKCB8236 | 20V, Doble N, RDS=22mΩ |
DESCRIPCIÓN GENERAL
Son los transistores de efecto de campo de potencia del modo de mejora lógica de canal N, que utilizan tecnología de trinchera DMOS de alta densidad celular. Este proceso de alta densidad está especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado activo. Estos dispositivos son particularmente adecuados para aplicaciones de bajo voltaje, como teléfonos celulares, administración de energía de computadoras portátiles y otros circuitos alimentados por batería, y la menor pérdida de energía que se necesita en un paquete de montaje en superficie de contorno muy pequeño.