HOY-23
Modelo：FKN3502、FKN3103
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Especificación
| FKN3502 | 30V Único N RDS=27mΩ |
| FKN3103 | -30V Single P RDS=32mΩ |
DESCRIPCIÓN GENERAL
Se trata de transistores de efecto de campo de potencia en modo de mejora lógica de canal N que se producen utilizando tecnología de trinchera DMOS de alta densidad celular. Este proceso de alta densidad está especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado activo. Estos dispositivos son particularmente adecuados para aplicaciones de bajo voltaje, como la administración de energía de teléfonos celulares y computadoras portátiles y otros circuitos alimentados por batería, y se necesita una baja pérdida de energía en línea en un paquete de montaje en superficie de contorno muy pequeño.
CARACTERÍSTICAS / APLICACIONES
CARACTERISTICAS
RDS(ENCENDIDO) ≦2.8Ω@VGS=10V
RDS (ENCENDIDO) ≦3.8Ω@VGS=4.5V
Protección ESD HBM≧2KV
Diseño de celda de súper alta densidad para un RDS(ON) extremadamente bajo
Excepcional resistencia de encendido y máxima capacidad de corriente continua
Capaz de unir cables de Cu
APLICACIONES
Administración de energía en el cuaderno
Equipo portátil
Sistema alimentado por batería
Interruptor de carga
DSC